化学气相沉积特点_公司新闻 - 峰湃科技（上海）有限公司

2021-05-23阅读：

CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的

蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路

中很多薄膜都是采用CVD方法制备。

一、化学气相沉积的特点：

1、在低温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。

2、可以在常压或者真空条件下进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好。

3、采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。

4、涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。

5、可以控制涂层的密度和涂层纯度。

6、可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。可涂覆带有槽、沟、孔，

甚至是盲孔的工件。

7、沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行气相扰动，以改善其结构。

8、可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。

二、缺点：

1、沉积速率不太高，一般在几～几百nm/min，不如蒸发和离子镀，甚至低于溅射镀膜；

2、在不少场合下，参加沉积的反应源和反应后的余气易燃、易爆或有毒，因此需要采取

防止环境污染的措施；对设备来说，往往还有耐腐蚀的要求；

3、基体需要局部或某一个表面沉积薄膜时很困难，不如PVD技术来得方便；

4、即使采取了一些新的技术，CVD成膜时的工件温度仍然高PVD于技术，因此应用上受到

一定的限制。

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